2031 年氮化镓半导体器件市场规模、份额和趋势分析

InsightAce Analytic Pvt. Ltd.宣布发布一份关于"全球氮化镓半导体器件市场--（按类型（光电半导体、射频半导体、功率半导体）、按器件（分立半导体、集成半导体）、按应用（闪电&激光器、功率驱动器（激光雷达、工业驱动器、电动汽车驱动器）、电源&逆变器（SMPS、逆变器、无线充电、电动汽车充电）、射频&（RF）、无线电频率&（RF））"的市场评估报告。V. 驱动器）、电源 & 逆变器（SMPS、逆变器、无线充电、E.V. 充电）、射频 (R.F.)、

前端模块 (FEM)、中继器/升压器/DAS、雷达 & 卫星））、按垂直行业（消费 & 商业企业、工业、汽车、电信、航空航天 & 国防、医疗保健、能源 & 电力）、按电压范围（低于 100 V、100-500 V、高于 500 V））、趋势、行业竞争分析、收入和 2031 年预测"。

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氮化镓（GaN）半导体器件是一种利用氮化镓作为半导体材料制造的电子元件。氮化镓是一种先进的半导体材料，与硅等传统材料相比具有多项优势。

近来对高能效半导体器件的需求激增，也是其越来越受欢迎的原因之一。与硅器件相比，氮化镓半导体器件的优势促进了市场的增长。硅材料用于生产智能手机、电脑、相机和电视机等电子产品。

另一方面，由于硅的创造潜力放缓，速度比硅快 100 倍的氮化镓半导体器件迎来了机遇。氮化镓器件在许多方面都优于硅器件，包括速度更快、成本更低、能效更高。

游戏机、手机、笔记本电脑和电视的需求不断增长，可能会推动消费电子行业的 GaN 半导体器件市场。由于 5G 标准的推出提高了对基站和大功率晶体管的要求，ICT 市场对 GaN 功率半导体的需求也随之增加。

氮化镓半导体器件市场知名企业列表：

• Wolfspeed 公司（美国）
• Qorvo公司（美国）
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.（美国）
• 英飞凌科技公司（德国）
• 住友电气工业株式会社（日本(住友电气工业株式会社（日本）
• 三菱电机集团（日本）
• NexGen Power Systems.美国
• GaN 系统公司（加拿大）
• Efficient Power Conversion Corporation（美国）
• 奥德赛半导体技术公司（美国）
• ROHM Co.日本
• 意法半导体公司（瑞士）
• 恩智浦半导体公司（荷兰）
• Transphorm, Inc、
• 模拟器件公司
• 德州仪器公司
• Navitas 半导体公司
• 微芯片技术公司
• Powdec、
• 诺斯罗普-格鲁曼公司
• 新电能电气制造有限公司
• 东芝基础设施系统公司（Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation、
• 瑞萨电子公司
• 镓半导体、
• GaNpower

市场动态：

驱动因素

对笔记本电脑、智能手机、电源适配器、高速充电器、LED 照明、智能家居设备和游戏设备等消费电子产品的需求不断增长，可能会对市场增长产生重大影响。在消费电子产品中使用氮化镓半导体器件可提高功率密度和效率。

它能提高充电速度、延长使用寿命并降低耗电量。基站和其他网络设备等 GaN 半导体器件也被用于企业应用。其处理高功率和高频率的能力改善了无线通信。因此，消费电子产业和商业企业需求的增长预计将推动市场扩张。

挑战

氮化镓半导体器件的昂贵成本阻碍了其广泛应用。导致其价格昂贵的因素有几个。首先，氮化镓基底是制造器件的基础，必须采用复杂的方法，这就需要专业的设备和知识。

与硅等更先进的半导体材料相比，这种复杂性大大提高了制造成本。此外，高质量氮化镓衬底的稀缺也导致其价格昂贵，限制了规模经济生产。

区域趋势：

北美氮化镓半导体器件市场的收入预计将占据主要市场份额，预计在不久的将来将以较高的复合年增长率增长。美国的主要企业，如 Cree, Inc.

Grumman Corporation、Qorvo, Inc.等公司为这一市场的扩张做出了贡献。美国和加拿大对氮化镓器件和其他相关技术的采购量增加，也是该地区独占鳌头的原因。德州仪器公司和 Qorvo 公司正在寻求融资，以便在美国生产氮化镓器件。

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近期发展：

• 2023 年 6 月，NexGen 刚刚宣布开始生产全球首款 700V 和 1200V 垂直氮化镓半导体，该产品可实现最高的开关频率。NexGen 开发的 1200V 垂直氮化镓电子模式 Fin-jFET 是唯一能在 1.4kV 额定电压下有效显示超过 1 MHz 开关频率的宽带隙器件。

• 2021 年 12 月， Microchip Technology 公司宣布大幅扩展其氮化镓（GaN）射频（RF）功率器件产品组合，新增 MMIC 和分立晶体管，频率最高可达 20 千兆赫（GHz）。这些器件集高功率附加效率（PAE）和高线性度于一身，使 5G 到电子战、卫星通信、商用和国防雷达系统以及测试设备等应用的性能达到了新的水平。

氮化镓半导体器件市场细分

按类型

• 光电半导体
• 射频半导体
• 功率半导体

按器件分类

• 分立半导体
• 集成半导体

按应用

• 激光器
• 电力驱动
  • 激光雷达
  • 工业驱动器
  • E.V. 驱动器
• 电源 & 变频器
  • SMPS
  • 逆变器
  • 无线充电
  • 电动汽车充电
• 射频 (R.F.)
  • 前端模块 (FEM)
  • 中继器/增压器/DAS
  • 雷达 & 卫星

由 Vertical- 提供

• 消费 & 商业企业
• 工业
• 汽车
• 电信
• 航空航天 & 国防
• 医疗保健
• 能源 & 电力

按电压范围

• 低于 100 V
• 100-500 V
• 大于 500 V

按地区

北美地区

• 美国
• 加拿大
• 墨西哥

欧洲

• 德国
• 英国
• 法国
• 意大利
• 西班牙
• 欧洲其他地区

亚太地区

• 中国
• 印度
• 印度
• 韩国
• 东南亚
• 亚太其他地区

拉丁美洲

• 巴西
• 阿根廷
• 拉丁美洲其他地区

中东& 非洲-

• 海湾合作委员会国家
• 南非
• 中东和非洲其他地区

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關鍵詞:  GaN Semiconductor Device Market,GaN Semiconductor,GaN Semiconductor Device

標籤:   Chinese, Extended Distribution, News, Research Newswire