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2031 年氮化镓半导体器件市场规模、份额和趋势分析
InsightAce Analytic Pvt. Ltd.宣布发布一份关于"全球氮化镓半导体器件市场--(按类型(光电半导体、射频半导体、功率半导体)、按器件(分立半导体、集成半导体)、按应用(闪电&激光器、功率驱动器(激光雷达、工业驱动器、电动汽车驱动器)、电源&逆变器(SMPS、逆变器、无线充电、电动汽车充电)、射频&(RF)、无线电频率&(RF))"的市场评估报告。V. 驱动器)、电源 & 逆变器(SMPS、逆变器、无线充电、E.V. 充电)、射频 (R.F.)、
前端模块 (FEM)、中继器/升压器/DAS、雷达 & 卫星))、按垂直行业(消费 & 商业企业、工业、汽车、电信、航空航天 & 国防、医疗保健、能源 & 电力)、按电压范围(低于 100 V、100-500 V、高于 500 V))、趋势、行业竞争分析、收入和 2031 年预测"。
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氮化镓(GaN)半导体器件是一种利用氮化镓作为半导体材料制造的电子元件。氮化镓是一种先进的半导体材料,与硅等传统材料相比具有多项优势。
近来对高能效半导体器件的需求激增,也是其越来越受欢迎的原因之一。与硅器件相比,氮化镓半导体器件的优势促进了市场的增长。硅材料用于生产智能手机、电脑、相机和电视机等电子产品。
另一方面,由于硅的创造潜力放缓,速度比硅快 100 倍的氮化镓半导体器件迎来了机遇。氮化镓器件在许多方面都优于硅器件,包括速度更快、成本更低、能效更高。
游戏机、手机、笔记本电脑和电视的需求不断增长,可能会推动消费电子行业的 GaN 半导体器件市场。由于 5G 标准的推出提高了对基站和大功率晶体管的要求,ICT 市场对 GaN 功率半导体的需求也随之增加。
氮化镓半导体器件市场知名企业列表:
- Wolfspeed 公司(美国)
- Qorvo公司(美国)
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.(美国)
- 英飞凌科技公司(德国)
- 住友电气工业株式会社(日本(住友电气工业株式会社(日本)
- 三菱电机集团(日本)
- NexGen Power Systems.美国
- GaN 系统公司(加拿大)
- Efficient Power Conversion Corporation(美国)
- 奥德赛半导体技术公司(美国)
- ROHM Co.日本
- 意法半导体公司(瑞士)
- 恩智浦半导体公司(荷兰)
- Transphorm, Inc、
- 模拟器件公司
- 德州仪器公司
- Navitas 半导体公司
- 微芯片技术公司
- Powdec、
- 诺斯罗普-格鲁曼公司
- 新电能电气制造有限公司
- 东芝基础设施系统公司(Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation、
- 瑞萨电子公司
- 镓半导体、
- GaNpower
市场动态:
驱动因素
对笔记本电脑、智能手机、电源适配器、高速充电器、LED 照明、智能家居设备和游戏设备等消费电子产品的需求不断增长,可能会对市场增长产生重大影响。在消费电子产品中使用氮化镓半导体器件可提高功率密度和效率。
它能提高充电速度、延长使用寿命并降低耗电量。基站和其他网络设备等 GaN 半导体器件也被用于企业应用。其处理高功率和高频率的能力改善了无线通信。因此,消费电子产业和商业企业需求的增长预计将推动市场扩张。
挑战
氮化镓半导体器件的昂贵成本阻碍了其广泛应用。导致其价格昂贵的因素有几个。首先,氮化镓基底是制造器件的基础,必须采用复杂的方法,这就需要专业的设备和知识。
与硅等更先进的半导体材料相比,这种复杂性大大提高了制造成本。此外,高质量氮化镓衬底的稀缺也导致其价格昂贵,限制了规模经济生产。
区域趋势:
北美氮化镓半导体器件市场的收入预计将占据主要市场份额,预计在不久的将来将以较高的复合年增长率增长。美国的主要企业,如 Cree, Inc.
Grumman Corporation、Qorvo, Inc.等公司为这一市场的扩张做出了贡献。美国和加拿大对氮化镓器件和其他相关技术的采购量增加,也是该地区独占鳌头的原因。德州仪器公司和 Qorvo 公司正在寻求融资,以便在美国生产氮化镓器件。
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近期发展:
- 2023 年 6 月,NexGen 刚刚宣布开始生产全球首款 700V 和 1200V 垂直氮化镓半导体,该产品可实现最高的开关频率。NexGen 开发的 1200V 垂直氮化镓电子模式 Fin-jFET 是唯一能在 1.4kV 额定电压下有效显示超过 1 MHz 开关频率的宽带隙器件。
- 2021 年 12 月, Microchip Technology 公司宣布大幅扩展其氮化镓(GaN)射频(RF)功率器件产品组合,新增 MMIC 和分立晶体管,频率最高可达 20 千兆赫(GHz)。这些器件集高功率附加效率(PAE)和高线性度于一身,使 5G 到电子战、卫星通信、商用和国防雷达系统以及测试设备等应用的性能达到了新的水平。
氮化镓半导体器件市场细分
按类型
- 光电半导体
- 射频半导体
- 功率半导体
按器件分类
- 分立半导体
- 集成半导体
按应用
- 激光器
- 电力驱动
- 激光雷达
- 工业驱动器
- E.V. 驱动器
- 电源 & 变频器
- SMPS
- 逆变器
- 无线充电
- 电动汽车充电
- 射频 (R.F.)
- 前端模块 (FEM)
- 中继器/增压器/DAS
- 雷达 & 卫星
由 Vertical- 提供
- 消费 & 商业企业
- 工业
- 汽车
- 电信
- 航空航天 & 国防
- 医疗保健
- 能源 & 电力
按电压范围
- 低于 100 V
- 100-500 V
- 大于 500 V
按地区
北美地区
- 美国
- 加拿大
- 墨西哥
欧洲
- 德国
- 英国
- 法国
- 意大利
- 西班牙
- 欧洲其他地区
亚太地区
- 中国
- 印度
- 印度
- 韩国
- 东南亚
- 亚太其他地区
拉丁美洲
- 巴西
- 阿根廷
- 拉丁美洲其他地区
中东& 非洲-
- 海湾合作委员会国家
- 南非
- 中东和非洲其他地区
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